应用领域： 供4英寸硅片氧化、退火等工艺使用。

技术指标：

最高温度：1150℃；
恒温区长度：760mm；
最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域： 供2英寸硅片退火及硼扩散等工艺使用。

技术指标：

最高温度：1150℃；
恒温区长度：350mm；
最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域： 专利技术保证高质量石墨烯生长，成熟工艺程序。

技术指标：

1、全套石英器件，4条独立控制气路（氩气、氢气、高、低流量甲烷），气体泄漏探测器。2、独立三温区，最高温度1100℃，恒温均匀性小于0.5℃。3、不小于98%面积的单层石墨烯。4、100mtorr至500torr真空可控，最低真空50mtorr，单独常压尾气排气管路。5、衬底大小：≤50mm×50mm或2英寸。

应用领域： 供2英寸硅片氧化、退火等工艺使用。

技术指标：

最高温度：1150℃；
恒温区长度：350mm；
最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域： 适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。

技术指标：

1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10-6mbar。2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。3、ICP源功率范围：100~1200W。4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。

应用领域： 该系统具备热ALD沉积功能和等离子增强ALD工艺模式，可用于8英寸及以下尺寸的基底氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料的沉积。

技术指标：

1、带手动基片传片器。2、热ALD和PEALD两种模式。3、热反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：500℃。4、等离子反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：450℃。5、样品尺寸：8英寸及以下。6、沉积材料：氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料。7、厚度均匀性：≤±1.0% (4英寸),或≤±2.0% (8英寸)。

应用领域： 比热测量，选件可选冷却设备，压缩空气、机械、液氮（可以单独或同时连接多种冷却装置，通过软件切换）。

技术指标：

1、温度范围：-170°C-600 /700°C（不同炉体）；温度重复性：± 0.01°C（标准金属）；温度准确度：0.1°C（标准金属）；升/降温速率：0.001K/min -500K/min。2、In响应比率：>100 mW/K。3、DSC量程：750 mW。4、热焓灵敏度：0.1μW。5、热焓精度：0.05% （标准金属）。6、气氛：静态及动态，惰性、氧化、还原。

应用领域： 主要用于实验室级的器件直流参数测试、实时绘图与分析、具有高精度和亚fA级的分辨率。

技术指标：

1. IV测量   电压范围：-20V～+20V
            电流范围：100fA～0.1A
2．CV测量   电压范围：-20V～+20V
            电容范围：10fF～2nF
            电导范围：0.1nS～1uS
            测量频率：100KHz/1MHz
3. 兼容性   其硬件选项包括开关矩阵、Keithley与Agilent C-V仪以及脉冲发生器多种选择

应用领域： 纳米AFM成像及纳米结构的电学、摩擦学等研究。

技术指标：

1、形变噪音：<20pm。2、XY传感器噪音：<60pm；Z传感器噪音：<50pm。
使用大范围扫描(>1μm)的反馈增益设置仍可以在闭环扫描条件下得到清晰的原子晶格结构（<10nm）。

应用领域： 可以实现热导率和热扩散系数的快速、非破坏性测试,简便、精确的进行热物性的测试，为实验室研究、工厂质量控制以及生产控制提供了极大的方便。

技术指标：

1、测量技术：采用改进型瞬态平面热源法，可单面探头直接测试的无损检测技术。2、测定范围：0-500W/mK。3、温度范围：-50℃—200℃。4、测量时间：0.8-2.5s。5、测量精度：1%。6、测试样品范围：固体、液体、粉末和胶体。7、测量样品尺寸：样品无需特殊设备进行制样，固体最小样品尺寸只需17mm直径即可。8、必须配有传感器和温度控制箱的专用连接转换件，保证温度控制准确。9、配有专用小剂量单位，用于快速准确测量液体，粉末及胶体等。10、配有专用不锈钢底座，保 证传感器的长期稳定性。11、配有导热系数仪传感器专用存储保护箱。12、同一主机，可快速升级热膨胀模块。测量材料热膨胀性能。13、提供至少三种标准样品供检测使用。

应用领域： 各种元器件的结构和图形的二维表面和三维形貌测量。

技术指标：

1、2D测量，最适合于1.5mm～1μm范围的测量，不仅是线宽度，也能进行圆的直径等几何测量。2、3D测量，最适合于1mm～0.5μm的高度测量，并能提供真实精确的3D效果图片。体积/容积、表面积等3D测量。3、高分辨率观察，实时观察，可以分辨0.15μm的线和点。4、最大观察范围是3620×3620μm。

应用领域： 适于绝大多数块体材料的基本的物理参数的测量，由于其可以测量微小信号，同时适合于测量单根纳米材料的基本物理特性，是现代功能材料实验室必备的基本的测试仪器。另外，在某些情况下，器件的阻抗值比它的L、C、R值更为重要，阻抗随频率和其它参数的变化具有首要意义。

技术指标：

1、频率范围：40 Hz～110MHz，频率分辨率：1mHz ，频率精度 ±20ppm。2、阻抗范围：25mΩ～40MΩ，基本阻抗精度（四端对）：±0.08%。3、直流偏置电平：0~40V，0~±100mA（提供自动电平控制功能），直流偏置电平分辨率：1mV/40μA ，直流偏置电压精度： ±(0.1%+(5+30*Imon(mA)) mV，直流偏置电流精度： ±(2%+(0.2*Vmon(V)/20) mA。4、测量参数|Z|,R-X,s-Rs,Ls-Q,Cs-D,|Y|-θ,G-B,Lp-Q,Cp-G,Gp-Q,Cp-D,|Z|-Ls,|Z|-Cs,Z|-Cp,|Z|-Cp,|Z|-D,|Z|-Ls,复合参数Z-Y，Lp-Rp,Cp-Rp。

应用领域： 能够实现样品在低温真空环境的测试，实现样品在10-4 PA 真空度，4.2K 到480K 任意温度点的精确电学测量。

技术指标：

1、六个探针臂接口，可以安装六个探针臂。2、一个CF40 真空抽气口，一个快速破真空进气口。3、载物Chuck 温度范围：4K-500K ；CF法兰接口，系统极限真空优于5*10-6Pa。4、漏率优于：1.3*10-10Pa.M3/s；探针X-Y-Z三方向移动，行程：25.4mm，定位精度：10μm。5、双屏蔽chuck高低温时达到100FA 的测试精度。

应用领域： 1、测量硅单晶的体电阻率。2、测量掺杂半导体，如扩散层及异型外延层电阻。3、测量金属层电阻。

技术指标：

1、测量范围：①电阻率ρ：6×10-3 ~5×104Ω•cm；②方块电阻Rs/□：10-1~9×105Ω/□；③电阻R：3×10-2~2×105Ω。2、精度：±5%。3、样片台直径：180mm。

应用领域： 可测量除绝热材料以外的绝大部分材料，特别适合于中高导热系数材料的测量。除常规的固体片状材料测试外，通过使用合适的夹具或样品容器并选用合适的热学计算模型，还可测量诸如液体、粉末、纤维、薄膜、熔融金属、基体上的涂层、多层复合材料、各向异性材料等特殊样品的热传导性能。

技术指标：

1、温度范围：-100℃—500℃。2、采样速率：2MHZ。3、两种检测器：锑化铟（InSb）：室温-500℃；碲镉汞（MCT）：-100℃-500℃。4、气氛：可选择三联的固定流量开关和三路质量流量控制器（一路保护气，两路吹扫气）。

应用领域： 确认材料；识别未知物及混合物样品；辨认混合物成分。

技术指标：

光谱范围：7800~350 cm-1(标准)；分辩率：0.4cm-1；峰-峰噪声：<1.3X10-5Abs；ASTM 线性度：<±0.1%T；波数精度：0.01cm-1。

应用领域： 主要用于物质的结构测定、成分分析和物理化学性质的测定。

技术指标：

1、光谱灵敏度：Si的三阶峰信噪比好于15:1，能检测到Si的四阶峰。2、光谱重复性：≤ +/-0.2cm-1。3、光谱分辨率：≤1.5cm-1。

应用领域： 适用于各种样品的微观形貌观察和分析，结合EDS能谱仪可进行样品微区成分定性和定量以及元素分布分析。

技术指标：

1、分辨率：0.8nm@15kV，1.6nm@1kV，2.0nm@30kV（VP mode）。2、放大倍数：12~1,000,000×。3、加速电压：0.02 ~30kV。4、探针电流：4pA~20nA（12pA~100nA可选）。5、样品室：Φ330mm×270mm。6、样品台：五轴优中心全自动型，X = 130mm，Y = 130mm，Z = 50mm，T=-3to70°，R=360°连续旋转。7、系统控制：基于Windows的SmartSEM操作系统，可选鼠标、键盘、控制面板控制。

应用领域： 可以分析各种微波器件和组件。它具有频域和时域两类测试功能，可以很好地完成诸如滤波器、放大器、混频器以及系统中有源和无源微波组合等的各种参数的调试、测试。可同时测量被测网络的幅度信息和相位信息。接收机采用调谐接收，具有选频特性，能够有效抑制干扰和杂散，动态范围大。

技术指标：

1、网络分析：频率范围：9kHz～6GHz；测量时间（201个测量点，已校准的双端口）：<75 100=""s="">115dB，典型值为123dB；输出功率：>0dBm，典型值为 +10dBm；测量带宽：10Hz～500kHz（1/2/5步。2、频谱分析：频率范围：9kHz～6GHz；频率误差：1×10－6；带有R&S SL-B4选项：1×10-7。3、分辨率带宽：标准300Hz～10MHz（1/3 步），零档时为20MHz；带有R&S SL-B7选项：1Hz～10MHz（1/3步）；视频带宽：10Hz～MHz；I/Q解调带宽：20MHz；500 MHz时的典型相位噪声：－100dBc(1Hz)，10 kHz载波偏置；显示的平均噪声级别：1GHz时，不带前置放大器时<–140dBm(1Hz)。1GHz时，带前置放大器时<-156 1=""dbm="" -163="">+5 dBm，典型值+12dBm；检测器：正/负峰值、自动峰值、RMS、准峰值、平均值、取样；电平测量误差（95％置信电平）：<0.5dB。

应用领域： 能精确地对石墨烯、粉末及体状材料样品的物相进行定性定量分析。

技术指标：

X射线发生器最大输出：3KW；电压稳定度：0.0001%；测角仪：θ/θ测角仪；最小步进角度：0.0001°。

应用领域： 主要适用于观察和测量信号幅度和信号失真，其显示结果可以直观反映输入信号的傅里叶变换的幅度。傅里叶变化将时域信号作为正弦和余弦的集合映射到频域内。信号频谱分析的测量范围及其宽广，超过了140dB。这些能力是频谱分析成为特别适于现代通信领域的多用途仪器。频谱分析实质上是考察给定信号源、天线或信号分配系统的幅度与频率的关系。这种分析能给出有关信号的重要信息，如稳定度、失真、幅度以及调制的类型和质量。利用这种信息，可以进行电路或系统调节，以提高效率或验证在所需要的信号发射和不需要的信号发射方面是否符合不断涌现的各种规章条例。

技术指标：

1、频率范围：内混频：30Hz～13.2GHz，外混频：18GHz～325GHz，频段：5.86GHz～13.2GHz。2、分辨率带宽范围：1Hz～2Mz。3、显示平均噪声电平：30Hz：≤90dBm，1KHz：≤105dBm，10KHz：≤120dBm，100KHz：≤120dBm，1MHz～10 MHz：≤140dBm，10MHz～2.9 GHz：≤151dBm，2.9GHz～6.46GHz：≤148dBm，6.46GHz～13.2GHz：≤145dBm。3、最大动态范围二阶/三阶：95dB/108dB。4、幅度进度（±）：2.1dB。5、最大安全输入电平：平均连续功率：±30dBm，峰值脉冲功率：±50dBm。6、最大直流输入电压：直流耦合：±0.2Vdc，交流耦合：±50Vdc。

应用领域： 主要用沉积金属膜和非金属膜。

技术指标：

极限真空8×10-4Pa；两个直径为100mm的磁控靶；一套直流靶电源，功率为1KW；一套13.56MHZ的射频电源，功率为1KW；样品尺寸：≤4英寸。

应用领域： 主要用于沉积金属膜。

技术指标：

1.极限真空8.0×10-4Pa。2.三个直径为100mm的磁控靶，靶基距为8cm不可调。3.一套直流靶电源，功率为2KW。一套13.56MHZ的射频电源，功率为1.5KW。4.工件转盘转速0-20转/分可调。5.适合4英寸及以下各种规格基片。

应用领域： 主要用于加工沉积高质量、厚度精确控制的金属薄膜和介质薄膜。

技术指标：

1、3支3英寸磁控溅射靶。2、基片加热器采用高温加热材料，最高温度可达到600℃。3、真空性能：A. 极限真空(Ultimate Pressure):1E-7Torr；B. 真空抽速：30分钟从大气压抽到5E-6Torr；C.真空室漏率：5E-5Torr.L/s。4、镀膜均匀性和重复性：在4英寸衬底厚度均匀性优于±5%，重复性优于±3%。5、样品尺寸：≤6英寸。

应用领域： 该激光划片机用于硅片、对2mm以内的不锈钢、铝，1mm以内的蓝宝石、陶瓷等切割工艺。

技术指标：

激光功率：≥150W；功率稳定性：≤3％；激光束品质：M2≤1.2；聚焦光斑直径：≥30μm；行程：400x400mm；最大移动速度：800 ㎜/s。

应用领域： 用于兼容4寸、6寸硅片等样片的自动减薄， 磨削阻力小、磨削均匀。

技术指标：

用于兼容4寸、6寸硅片等样片的自动减薄，样片由真空吸附与磨轮作相反方向旋转运动,磨轮前后摆动。该方法磨削阻力小、磨削均匀、生产效率高，控制精度1μm，重复定位精度3μm，工件进给速率(可调）： 1μm -5mm/min；同时横向减薄机设备可自动对刀、实际检测磨削扭力、自动调节样片磨削速度，从而防止样片磨削过程中因应力过大产生变形及破损，并可自动补偿砂轮磨损厚度尺寸。

应用领域： CMP加工表面的粗糙度最小，且不会产生次表面损伤层。目前已经成功开发聚合物，Si、SiC、Ge、GaN等半导体材料，SiO2、Si3N4、PSG、GeO、Al2O3等介质层以及Al普通金属和Au、Pt等惰性金属的化学机械抛光工艺。

技术指标：

1、采用去离子水粘贴硅片或采用真空吸附硅片进行抛光，摒弃传统的涂蜡粘贴硅片的方式，有利于抛光后硅片的清洗。2、具备背压功能，能够显著提升抛光的均匀性。3、具备抛光终点检测系统，防止过抛。
    以SiO2 为例，WIWNU（片内不均匀性）≤3%，WTWNU（片内不均匀性）≤5%，RMS（20μm×20μm）小于0.4nm。

应用领域： 该设备可用于硅片、石英、玻璃、陶瓷片等材料的切割加工。

技术指标：

1、划切规格：≤6寸；2、划切分辨率:1微米；3、划切宽度：玻璃＜300微米，硅片＜80微米；最大划切深度：≤700微米；

应用领域： 可以基片表面活化，可去除不同厚度的光刻胶。

技术指标：

主腔室材料：石英；主腔室容积：6升；主腔室尺寸：直径150mm,深度260mm；工艺压力：1-100Pa；样品大小≤4英寸。

应用领域： 单面对准曝光。

技术指标：

掩模版适用尺寸：五英寸；基片尺寸：4英寸及以下不规则形状基片；汞灯功率：350W；分辨率：2μm。

应用领域： 将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光，利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。

技术指标：

1、宽带光源365，紫外接近，接触式光刻，可实现双面对准。2、最大曝光面积φ100mm。分辨率：1μm。套刻精度：±1μm。2、样品大小：≤4英寸，厚度小于3mm。3、光刻板尺寸：4寸样片5寸版，3寸以下样片4寸或5寸版。

应用领域： 该芯片键合机可实现阳极键合、硅硅直接键合、融熔键合、热压键合等多种圆片级键合形式。

技术指标：

最高温度：500 ℃；最大电压：2.5 KV；最大压力：2 KN；真空度：1×10-4mbar。

应用领域： 特别适用于刻蚀在半导体（例如硅）衬底上的微纳结构和介质膜。

技术指标：

1、本底真空：<1x10-6mbar(7.6x10-4mTorr)。2、6路气体：六氟化硫、三氟甲烷、氩气、氧气、氮气（吹扫用）、氦气（背冷却用）。3、样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）。取-放系统保证了衬底操作的洁净与安全。预真空室有可编程的吹扫循环工艺、确保操作者安全和腔室洁净。4、一个射频发生器（13.56 MHz, 600 W）用于下电极偏置，另一个用于驱动ICP源（13.56 MHz, 1200 W）。5、样品尺寸：≤9英寸。

应用领域： 硅深槽刻蚀。

技术指标：

适用于4英寸及以下尺寸的硅片刻蚀；使用气体有：SF6，C4F8，O2；掩膜材料可以是光刻胶和氧化硅；刻蚀深宽比20：1以内；同时兼有常温BOSCH工艺和低温CRYO工艺。

应用领域： RCA清洗，玻璃片标准清洗、各类一般清洗腐蚀。

技术指标：

PP 板机壳，优质不锈钢骨架，外包3mm PP 板防腐;快排冲洗槽;用于RCA 的石英槽；设备排风系统，设有风量导流板，从而使排风效果达到最佳；四路给排水/废液系统，电器控制系统，优质PLC 可编程控制器控制全操作过程，既可全自动操作，也可手动操作。

应用领域： RCA清洗，玻璃片标准清洗、各类一般清洗腐蚀。

技术指标：

PP 板机壳，优质不锈钢骨架，外包3mm PP 板防腐;快排冲洗槽;用于RCA 的石英槽；设备排风系统，设有风量导流板，从而使排风效果达到最佳；四路给排水/废液系统，电器控制系统，优质PLC 可编程控制器控制全操作过程，既可全自动操作，也可手动操作。

应用领域： 硅各向异性腐蚀，各类一般清洗腐蚀。

技术指标：

PP 板机壳，优质不锈钢骨架，外包3mm PP 板防腐;快排冲洗槽;具备浸泡、腐蚀、循环、过滤、超声一体化清洗功能；配有不锈钢316材质腐蚀槽，防止槽体间交叉污染；设备排风系统，设有风量导流板，从而使排风效果达到最佳；排废液系统分为三路，一路排废水，两路排化学药液；电器控制系统，优质PLC 可编程控制器控制全操作过程，既可全自动操作，也可手动操作。

应用领域： 硅各向异性腐蚀，各类一般清洗腐蚀。

技术指标：

PP 板机壳，优质不锈钢骨架，外包3mm PP 板防腐;快排冲洗槽;具备浸泡、腐蚀、循环、过滤、超声一体化清洗功能；配有不锈钢316材质腐蚀槽，防止槽体间交叉污染；设备排风系统，设有风量导流板，从而使排风效果达到最佳；排废液系统分为三路，一路排废水，两路排化学药液；电器控制系统，优质PLC 可编程控制器控制全操作过程，既可全自动操作，也可手动操作。