SI 500D等离子增强化学气相沉积系统
仪器名称： SI 500D等离子增强化学气相沉积系统
仪器类型： CVD设备
应用领域： 适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。
技术指标：
1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10-6mbar。2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。3、ICP源功率范围：100~1200W。4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。
仪器品牌： SENTECH
仪器型号： SI 500D
仪器厂家： SENTECH公司
仪器设备所属平台： 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 微电子/石墨烯加工测试平台
