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SI 500D等离子增强化学气相沉积系统


仪器名称: SI 500D等离子增强化学气相沉积系统

仪器类型: CVD设备

应用领域: 适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。

技术指标:

1、反应腔室本底真空: ≤ 1×10-6mbar。2、反应腔衬底加热温度:20~350℃。3、ICP源功率范围:100~1200W。4、沉积材料:氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性:±5%(8英寸片)。

仪器品牌: SENTECH

仪器型号: SI 500D 

仪器厂家: SENTECH公司 

仪器设备所属平台: 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 微电子/石墨烯加工测试平台


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